SRAM 90 nm, DDR-II και RDRAM

Απάντηση
stavros
Δημοσιεύσεις: 112
Εγγραφή: Δευ Φεβ 21, 2022 3:14 pm

SRAM 90 nm, DDR-II και RDRAM

Δημοσίευση από stavros »

Ο νόμος του Μουρ, σύμφωνα με τον οποίο η ισχύς των ημιαγωγών διπλασιάζεται κάθε 18 μήνες, φαίνεται να τείνει προς κατάρριψη, ειδικά αν πιστέψουμε τα όσα θαυμαστά συμβαίνουν στα εργαστήρια ανάπτυξης των τεχνολογιών του μέλλοντος μακριά από τα φώτα της δημοσιότητας.

Οι μονομάχοι

Είναι γεγονός, ότι η τεχνολογία προχωρά με ασύλληπτες ταχύτητες, πίσω από τις βαριές πόρτες των εργαστηρίων των μεγαλύτερων κατασκευαστών chipsets στον κόσμο. Ωστόσο, οι νόμοι του marketing επιβάλλουν την κάλυψη των νέων τεχνολογικών ανακαλύψεων με πέπλο σιωπής, μέχρι η αγορά και ο ανταγωνισμός να είναι σε θέση να δεχθούν και -το κυριότερο- να πληρώσουν τα τεχνολογικά εξελιγμένα αγαθά του μέλλοντος. Είναι επίσης γεγονός, ότι κάθε φορά που παρουσιάζεται ένα νέο προϊόν στην αγορά, η ανάπτυξη των χαρακτηριστικών του στα επιστημονικά εργαστήρια, βρίσκεται δυο γενιές μπροστά. Λαμβάνοντας υπόψη τα παραπάνω, εύλογα κάποιος θα αναρωτηθεί: "Και μετά τα 0.09 μm τι";

SRAM 90 nm

Στις αρχές Μαρτίου, η Intel ανακοίνωσε την κατασκευή του μικρότερου στοιχείου SRAM (Static Random Access Memory), μεγέθους μόλις ενός τετραγωνικού micron. Το στοιχείο αυτό αποτελεί μέρος ενός συνόλου ίδιων στοιχείων, τα οποία δομούν ένα πλήρως λειτουργικό chip μνήμης, κατασκευασμένο με την επόμενης γενιάς τεχνολογία της Intel, των 90 nm. Λίγους μόνο μήνες μετά την εμπορική διάθεση των "νέων" επεξεργαστών της Intel, τεχνολογίας 0,13 μm, η ίδια η εταιρεία έρχεται να μας παρουσιάσει το επόμενο βήμα στην τεχνολογία κατασκευής μνήμης και επεξεργαστών. Η τεχνολογία των 90 nm θα αποτελέσει τη βάση κατασκευής των νέων επεξεργαστών Pentium Prescott και της νέας τεχνολογίας SRAM, που θα τους συνοδεύει με χαρακτηριστικά που εκπλήσσουν. Η κατασκευή της νέας SRAM θα βασίζεται επάνω σε chips των 52 Mbit, τα οποία θα περιέχουν 330 εκατομμύρια transistors και θα καταλαμβάνουν χώρο μόλις 109 τετραγωνικών χιλιοστών. Σύμφωνα με την Intel, η χρήση αυτής της τεχνολογίας στην κατασκευή SRAM θα οδηγήσει στην αποτελεσματική αύξηση της απόδοσης των επεξεργαστών, προσθέτοντας ακόμα μεγαλύτερη μνήμη cache "on-die", αυξάνοντας συνολικά την υπολογιστική τους ικανότητα.

DDR-II

Στο χώρο της μνήμης Double Data Rate (DDR) SDRAM, τα πράγματα φαίνεται να εξελίσσονται ραγδαία, αφού η ήδη υπάρχουσα τεχνολογία κατασκευής αυτού του τύπου μνήμης, φαίνεται να έχει φτάσει στα όριά της. Μετά την αύξηση του χρονισμού στα 333 MHz και την αναμενόμενη στις αρχές του επόμενου χρόνου παρουσίαση μνήμης DDR χρονισμένης στα 400 MHz, η Jedec έρχεται να θέσει τα νέα standards για την κατασκευή της μνήμης DDR δεύτερης γενιάς, γνωστότερης και ως DDR-II. Η νέα αρχιτεκτονική της μνήμης DDR-II θα βασίζεται στη νέα, βελτιωμένη δομή του I/O, η οποία θα αυξήσει το bandwidth της μνήμης στα 3,2 Gbyte/sec, για μνήμες με FSB στα 400 MHz και στα 4,3 Gbyte/sec για μνήμες με FSB στα 533 MHz. Η νέα αρχιτεκτονική της DDR-II SDRAM θα επιτρέπει τη δημιουργία συσκευών υψηλής απόδοσης και χαμηλού κόστους, απόλυτα συμβατών με την υπάρχουσα μνήμη DDR. Τα νέα standards έχουν ήδη γίνει αποδεκτά από 120 κατασκευάστριες εταιρείες και η DDR-II SDRAM αναμένεται να μπει στην παραγωγή στις αρχές του 2004.

RIMM 4200

Στην αντίπερα όχθη της ανάπτυξης των νέων τεχνολογιών βρίσκεται η Rambus, με την ανάπτυξη της νέας γενιάς μνήμης RDRAM. Ηδη, από τα τέλη Φεβρουαρίου η Rambus παρουσίασε τη RIMM 4200, τεχνολογίας 32 bit, που μέχρι στιγμής παρουσιάζει το μεγαλύτερο bandwidth σε επίπεδο RAM. H νέα τεχνολογία της RIMM 4200 βασίζεται στην ύπαρξη δυο διαφορετικών καναλιών μνήμης, με δυνατότητα μεταφοράς δεδομένων 4,2 Gbyte/sec σε κάθε module. Η ονομαστική συχνότητα λειτουργίας της RIMM 4200 θα είναι 1066 MHz, ενώ μέχρι το 2005, αναμένεται να κάνει την εμφάνισή της στην αγορά και η πρώτη μνήμη Rambus 64 bit στα 1200 MHz με bandwidth 9,6 Gbytes/sec.
Απάντηση

Επιστροφή στο “Μνήμες RAM”