Η Samsung ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή των 10nm class 8Gb (gigabit) DDR4 DRAM

Η Samsung ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή των 10nm class 8Gb (gigabit) DDR4 DRAM

Η Samsung ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή των 10nm class 8Gb (gigabit) DDR4 DRAM, τα οποία θεωρούνται δεύτερης γενιάς.

Το συγκεκριμένο είδος είναι προοριζόμενο για ένα ευρύ φάσμα συστημάτων υπολογιστικής. Το νέο 8Gb DDR4 της Samsung ισχυρίζεται ότι θα προσφέρει υψηλότερη απόδοση από οποιοδήποτε άλλο προϊόν και πως θα έχει την καλύτερη ενεργειακή απόδοση για ένα τσιπ DRAM αυτού του διαμετρήματος, καθώς και από εκείνα που έχουν μικρότερες διαστάσεις

«Με την ανάπτυξη καινοτόμων τεχνολογιών στον σχεδιασμό και την επεξεργασία κυκλωμάτων DRAM, έχουμε ξεπεράσει σημαντικά εμπόδια για τη δυνατότητα επέκτασης της DRAM», δήλωσε ο πρόεδρος της Samsung Electronics, ο Gyoyoung Jin.

«Μέσω της ταχείας ανάπτυξης της δεύτερης γενιάς DRAM 10nm, θα επεκτείνουμε πιο επιθετικά τη συνολική παραγωγή των DRAM 10nm, προκειμένου να ικανοποιήσουμε τη μεγάλη ζήτηση της αγοράς και κατά συνέπεια να συνεχίσουμε να ενισχύουμε την ανταγωνιστικότητα των επιχειρήσεων μας» πρόσθεσε ο Gyoyoung Jin.

Η νέα DDR4 της κατηγορίας 10nm 8Gb ισχυρίζεται ότι δεν θα είναι απλά 30% πιο παραγωγική σε σχέση με την πρώτη γενιά 10Gb DDR4 της κατηγορίας 10nm, αλλά διαθέτει 10% καλύτερα επίπεδα απόδοσης και 15% καλύτερη ενεργειακή απόδοση (Έτσι ισχυρίζεται η Samsung) και αυτό οφείλεται χάρη στη χρήση μιας προηγμένης, ιδιόκτητης τεχνολογίας σχεδιασμού κυκλώματος που διαθέτει η εταιρεία.

«Το νέο τσιπ μπορεί να λειτουργήσει στα 3.600 megabits ανά δευτερόλεπτο (Mbps) per pin, σε σύγκριση με τα 3.200 Mbps 1x-nm 8Gb DDR4», δήλωσε η εταιρεία.

«Για να μπορέσουμε να επιτύχουμε αυτά τα επιτεύγματα, εφαρμόσαμε νέες τεχνολογίες χωρίς τη χρήση διαδικασίας EUV. Η καινοτομία εδώ περιλαμβάνει τη χρήση ενός συστήματος αισθητήρων δεδομένων υψηλής ευαισθησίας και ενός προοδευτικού συστήματος τύπου air spacer scheme.

Αυτό το νέο σύστημα ανίχνευσης δεδομένων να βρίσκεται στο νέο τσιπ DRAM, επιτρέποντας ακριβέστερο προσδιορισμό των δεδομένων που είναι αποθηκευμένα σε κάθε κύτταρο, γεγονός που προφανώς οδηγεί σε σημαντική αύξηση του επιπέδου ολοκλήρωσης των κυκλωμάτων.

Η νέα DRAM κατηγορίας 10nm λέγεται επίσης ότι χρησιμοποιεί ένα μοναδικό διαχωριστικό που έχει τοποθετηθεί γύρω από τις γραμμές bit για να μειώσει την παρασιτική χωρητικότητα.

ΑΦΗΣΤΕ ΜΙΑ ΑΠΑΝΤΗΣΗ

Παρακαλώ εισάγετε το σχόλιο σας!
Παρακαλώ εισάγετε το όνομά σας